[Materia Condensada] Disertaciones en la Red COMPUMAT

[Eitel Peltzer]

Próximas disertaciones Red COMPUMAT

*Jueves 20 de abril **(10:30hs)*

*Parametrización del Potencial de Intercambio TB-mBJ dentro del marco de la
Teoría de la Funcional Densidad*

*Arles V. Gil Rebaza*

(1) Dpto. de Física, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de
La Plata (FCE-UNLP), Instituto de Física La Plata (IFLP, CCT La Plata,
CONICET), cc 67, 1900 La Plata, Argentina

(2) Grupo de Estudio de Materiales y Dispositivos Electrónicos, Dpto. de
Electrotecnia, Facultad de Ingeniería, UNLP



La Teoría de la Funcional Densidad (DFT) es ampliamente usada en el ámbito
de la materia condensada debido a su potencialidad para determinar y/o
predecir diferentes propiedades de materiales. Estos cálculos han tenido un
gran éxito para la predicción y comprensión de diferentes propiedades
estructurales, electrónicas y magnéticas de los sólidos. Sin embargo, las
aproximaciones usualmente empleadas (LSDA y GGA) son insuficientes en
muchos casos y varias deficiencias aparecen. Una de ellas es la
subestimación del band-gap de semiconductores. De hecho, uno de los mayores
desafíos de la DFT es predecir correctamente el band-gap de sistemas
semiconductores, para lo cual han sido propuestas diferentes aproximaciones
que van “más allá” de las aproximaciones (semi)locales LDA y GGA, tales
como DFT+U, meta-GGA, funcionales híbridas, aproximación GW, etc., pero con
el inconveniente que son computacionalmente demandantes. Una alternativa
que compensa la precisión de los resultados y la demanda de recursos
computacionales, es el uso del Potencial de intercambio de Becke-Johnson
(BJ) modificado por Tran-Blaha (TB-mBJ).

En el presente trabajo analizaremos brevemente las diferentes
parametrizaciones del potencial TB-mBJ, realizadas a partir de la
comparación con datos experimentales del band-gap de una serie diferentes
compuestos semiconductores. Luego, presentamos los resultados calculados
del band-gap de los compuestos semiconductores Sn1−xTixO2 en función de *x*,
considerando las diferentes parametrizaciones del potencial de TB-mBJ
propuestas.

Los resultados obtenidos difieren aún de los valores experimentales
reportados, lo cual nos conlleva a proponer una nueva parametrización del
potencial de TB-mBJ que depende básicamente de la cantidad de electrones
*3d*-Ti presente en el sistema de estudio. Los cálculos ab-initio
considerando el potencial TB-mBJ, han sido realizados en el contexto del
método FP-LAPW implementado en el código Wien2k. Además, los valores
obtenidos del

band-gap en función de *x*, han sido comparados con cálculos del band-gap
usando el método de Pseudopotenciales y la funcional híbrida HSE06
implementada en el código Quantum-Espresso y además con diferentes datos
experimentales obtenidos de la bibliografía.



*Jueves 18 de mayo* *(10:30hs)*

*Caracterización y simulación de celdas solares p-i-n de silicio amorfo
hidrogenado con códigos numéricos.*

*Helena Ramírez Jiménez*

Instituto de Física (IFIS)-Litoral, Univ. Nacional del Litoral (UNL)-CONICET



En esta charla se presentan los resultados obtenidos del estudio con
simulaciones numéricas empleando el código D-AMPS (*New Developments –
Analysis of Microelectronic and Photonic Structures*) de diferentes
aspectos del transporte eléctrico en estructuras simples p-i-n (o n-i-p) de
silicio amorfo hidrogenado (a-Si-H) bajo condiciones de estado
estacionario. Los resultados obtenidos encuentran aplicación en el modelado
y caracterización de celdas solares de simple y múltiple juntura siendo las
últimas parte del grupo denominado de tercera generación.



Esperamos verlos en la web. Adjunto el anuncio, para que, por favor, le den
difusión.

Cordiales saludos,

Eitel Peltzer
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