<div dir="ltr"><p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><span style="font-size:22pt;line-height:115%">Próximas disertaciones Red COMPUMAT<span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span style="font-size:18pt;line-height:115%">Jueves 20 de abril </span></b><b><span style="font-size:14pt;line-height:115%">(10:30hs)<span></span></span></b></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span lang="ES" style="font-size:14pt;line-height:115%">Parametrización del Potencial de
Intercambio TB-mBJ dentro del marco de la Teoría de la Funcional Densidad<span></span></span></b></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%;font-family:"times new roman",serif">Arles V. Gil Rebaza<span></span></span></b></p>
<p class="gmail-MsoListParagraphCxSpFirst" style="margin-left:14.2pt"><span lang="ES" style="font-size:11pt;font-family:calibri,sans-serif">(1)<span style="font-variant-numeric:normal;font-stretch:normal;font-size:7pt;line-height:normal;font-family:"times new roman"">
</span></span><span lang="ES" style="font-size:11pt;font-family:calibri,sans-serif">Dpto. de Física, Facultad de Ciencias Exactas, Universidad Nacional de
La Plata (FCE-UNLP), Instituto de Física La Plata (IFLP, CCT La Plata,
CONICET), cc 67, 1900 La Plata, Argentina<span></span></span></p>
<p class="gmail-MsoListParagraphCxSpLast" style="margin-left:14.2pt;text-align:justify"><span lang="ES" style="font-size:11pt;font-family:calibri,sans-serif">(2)<span style="font-variant-numeric:normal;font-stretch:normal;font-size:7pt;line-height:normal;font-family:"times new roman"">
</span></span><span lang="ES" style="font-size:11pt;font-family:calibri,sans-serif">Grupo de Estudio de Materiales y Dispositivos Electrónicos, Dpto. de
Electrotecnia, Facultad de Ingeniería, UNLP<span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%"><span> </span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify;text-indent:35.4pt"><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%">La Teoría de la Funcional Densidad (DFT) es ampliamente usada en el ámbito
de la materia condensada debido a su potencialidad para determinar y/o predecir
diferentes propiedades de materiales. Estos cálculos han tenido un gran éxito
para la predicción y comprensión de diferentes propiedades estructurales,
electrónicas y magnéticas de los sólidos. Sin embargo, las aproximaciones
usualmente empleadas (LSDA y GGA) son insuficientes en muchos casos y varias
deficiencias aparecen. Una de ellas es la subestimación del band-gap de semiconductores.
De hecho, uno de los mayores desafíos de la DFT es predecir correctamente el
band-gap de sistemas semiconductores, para lo cual han sido propuestas
diferentes aproximaciones que van “más allá” de las aproximaciones
(semi)locales LDA y GGA, tales como DFT+U, meta-GGA, funcionales híbridas,
aproximación GW, etc., pero con el inconveniente que son computacionalmente
demandantes. Una alternativa que compensa la precisión de los resultados y la
demanda de recursos computacionales, es el uso del Potencial de intercambio de
Becke-Johnson (BJ) modificado por Tran-Blaha (TB-mBJ).<span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%">En el
presente trabajo analizaremos brevemente las diferentes parametrizaciones del
potencial TB-mBJ, realizadas a partir de la comparación con datos
experimentales del band-gap de una serie diferentes compuestos semiconductores.
Luego, presentamos los resultados calculados del band-gap de los compuestos
semiconductores Sn<sub>1−x</sub>Ti<sub>x</sub>O<sub>2</sub> en función de <i>x</i>, considerando las diferentes
parametrizaciones del potencial de TB-mBJ propuestas.<span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="margin-bottom:0.0001pt;text-align:justify"><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%">Los resultados obtenidos difieren aún de
los valores experimentales reportados, lo cual nos conlleva a proponer una
nueva parametrización del potencial de TB-mBJ que depende básicamente de la
cantidad de electrones <i>3d</i>-Ti presente
en el sistema de estudio. Los cálculos ab-initio considerando el potencial
TB-mBJ, han sido realizados en el contexto del método FP-LAPW implementado en
el código Wien2k. Además, los valores obtenidos del<span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span lang="ES" style="font-size:12pt;line-height:115%">band-gap
en función de <i>x</i>, han sido comparados
con cálculos del band-gap usando el método de Pseudopotenciales y la funcional
híbrida HSE06 implementada en el código Quantum-Espresso y además con
diferentes datos experimentales obtenidos de la bibliografía.</span><span lang="EN-US" style="font-size:12pt;line-height:115%"><span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span> </span></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span style="font-size:18pt;line-height:115%">Jueves 18 de mayo</span></b>
<b><span style="font-size:14pt;line-height:115%">(10:30hs)</span></b><span></span></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span style="font-size:14pt;line-height:115%">Caracterización y simulación de celdas solares p-i-n de
silicio amorfo hidrogenado con códigos numéricos.<span></span></span></b></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center"><b><span style="font-size:12pt;line-height:115%;font-family:"times new roman",serif">Helena
Ramírez Jiménez</span></b><span style="font-size:12pt;line-height:115%;font-family:"times new roman",serif"><span></span></span></p>
<p class="MsoNormal" align="center" style="text-align:center">Instituto de Física
(IFIS)-Litoral, Univ. Nacional del Litoral (UNL)-CONICET<span></span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span> </span></p>
<p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span style="font-size:12pt;line-height:115%">En esta charla se
presentan los resultados obtenidos del estudio con simulaciones numéricas
empleando el código D-AMPS (<i>New Developments – Analysis of Microelectronic
and Photonic Structures</i>) de diferentes aspectos del transporte eléctrico en
estructuras simples p-i-n (o n-i-p) de silicio amorfo hidrogenado (a-Si-H) bajo
condiciones de estado estacionario. Los resultados obtenidos encuentran
aplicación en el modelado y caracterización de celdas solares de simple y
múltiple juntura siendo las últimas parte del grupo denominado de tercera
generación.</span><span></span></p><p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span style="font-size:12pt;line-height:115%"><br></span></p><p class="MsoNormal" style="text-align:justify"><span style="font-size:12pt;line-height:115%"><br></span></p><p class="MsoNormal" style="text-align:justify">Esperamos verlos en la web. Adjunto el anuncio, para que, por favor, le den difusión.</p><p class="MsoNormal" style="text-align:justify">Cordiales saludos,</p><p class="MsoNormal" style="text-align:justify">Eitel Peltzer </p></div>